技术编号：11203236
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及灯具技术领域，尤其涉及一种提高光利用率的发光二极管，以及利用该发光二极管制作的灯具。背景技术传统的发光二极管包括衬底，衬底上依次沉积有n型半导体层、发光层以及p型半导体层，其中发光层、p型半导体层设有用于n型半导体层外露的蚀刻孔，蚀刻孔内沉积有n型电极，p型半导体层外沉积有p型电极，当发光二极管处于发光状态时，在p型半导体层和n型半导体层上分别施加正负电压，这样存在于P型半导体层中的空穴和n型半导体内的电子在发光层复合并产生光子，光子投射到外界。然而现有的发光二极管的光取出效率较低，即...
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