技术编号:11224604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体涉及一种测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的方法和装置。背景技术近年来,太阳能作为一种新兴的可再生绿色能源已经成为了人们开发和研究的热点。伴随着太阳能电池业的快速发展,成本低且适于规模化生产的多晶硅或类单晶硅成为行业内最主要的光伏材料之一,并逐步取代传统的直拉单晶硅在太阳能电池材料市场中的主导地位。多晶硅的晶体生长过程中,其固液界面前沿纵向液相温度梯度(简称温度梯度)是一个很重要的参数和指标,温度梯度直接影响晶体硅的质量,但目前的技术无法简便地获得温度梯度数值,因此,有必...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。