技术编号:11233065
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有功率半导体用二极管构造的半导体装置。背景技术就用于功率半导体的二极管而言,由于在纵向上流过大电流,因此由厚的AlSi电极将主单元区域(maincellregion)的接触孔填埋。另外,终端构造采用FLR(FieldLimitingRing;场限环)构造,在GR(GuardRing;保护环)和各FLR(FieldLimitingRing)形成FP(FieldPlate;场板)电极,使耗尽层容易延伸(例如参照专利文献1)。并且,为了使电位稳定,在终端区域整个面形成有半绝缘性的保护膜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。