技术编号:11235377
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置,尤其涉及与非(NAND)型或或非(NOR)型快闪存储器(flashmemory)的输入数据(data)的验证方法。背景技术NAND型快闪存储器的编程(program)动作中,对所选择的字线(wordline)施加高电压的编程电压(例如15V~20V),对非选择的字线施加中间电位(例如10V),将与要编程的数据“0”或“1”相应的电位供给至位线(bitline),由此,使电子从沟道(channel)通过栅极绝缘膜而穿隧(tunneling)至选择存储单元(memory...
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