技术编号：11235493
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基板处理装置。背景技术提出了一种主要通过等离子体中的自由基对处理容器内的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)进行蚀刻处理的方法(例如参照专利文献1)。在主要通过自由基来蚀刻晶圆的情况下，想要抑制等离子体中的离子作用于晶圆。因此，在处理容器的内部配置将等离子体生成空间和基板处理空间分隔的分隔板。通过分隔板能够抑制等离子体中的离子从等离子体生成空间穿过到基板处理空间。另一方面，等离子体中的自由基穿过分隔板向基板处理空间移动，有助于晶圆的蚀刻。由此，能够在抑制离子到达晶圆表面的同时利用自由基...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。