技术编号：11235590
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法。背景技术近年来，已经有业界利用绝缘材料表面形成单晶半导体层的绝缘层上顶层硅(SOI)衬底来代替使用大块状硅晶圆于半导体集成电路的制造之中。因为使用SOI衬底的优点在于可以减少晶体管的漏极与衬底之间的寄生电容，藉此提高半导体集成电路的效能。关于半导体组件的制造方法，例如美国公告专利第5374564号是由离子注入法对硅晶圆进行氢离子注入，并在预定深度之处形成离子注入层。接下来，将注入有氢离子的硅晶圆与另一片硅晶圆接合，且于两片硅晶圆之间插置有氧化硅膜。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。