技术编号:11235592
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种金属互连结构的制备方法。背景技术金属互连技术指的是在集成电路片上淀积金属薄膜,并通过光刻技术形成布线,把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。对用于集成电路互连的金属材料的要求是:电阻率低,能与元件的电极形成良好的低欧姆接触;与二氧化硅层的粘附性要好;便于淀积和光刻加工形成布线等。在金属互连中引入合金元素可以明显提升电导率。其中向互连金属中进行金属元素注入往往需要更高温度或更长时间的退火来实现,这会在铜中产生空隙,产生空隙的原因是退火和冷却过程中金属...
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