技术编号：11235598
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭示实施例关于一种半导体装置的制造方法，且特别是关于导电层位于源极/漏极区上的半导体的制造方法。背景技术随着半导体产业引进了具有更高效能及更强大功能性的新一代集成电路(IC)，目前已经采用了多层金属布线结构设置于下层电子装置例如晶体管的上方。为了满足更高速以及良好可靠性的需求，已经开发了形成金属线的先进的方法及其结构。发明内容根据本揭示实施例的一态样，一种制造半导体装置的方法，该方法包含：先形成一第一栅极结构及一第二栅极结构于一基板上，其中该第一栅极结构包含一第一栅电极，一第一覆盖绝缘层设置于...
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