技术编号：11235694
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件技术，特别是涉及双向开关晶体管。背景技术随着高效完备的功率转换电路和系统需求的日益增加，具有低功耗和高速特性的功率器件最近吸引了很多关注。为了进一步改善功率转换效率，将功率开关的寄生元件损耗最小化是非常重要的。当开关晶体管用于逆变器和转换器电路，双向操作是减少元件数量和改善开关效率的很好方法。然而传统的开关晶体管是通过两个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,简称MOSFE...
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