技术编号:11235700
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在此描述的一种或更多种实施方式涉及半导体器件。背景技术多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)可以通过在衬底上层叠纳米片然后图案化纳米片以形成沟道来形成。源极/漏极层被形成在沟道的相反侧并且被掺杂有掺杂剂。掺杂剂可以被掺杂在沟道的相反的末端部分。沟道中的每一个中的掺杂剂的掺杂轮廓(dopingprofile)可以相对于衬底的顶面具有非垂直的侧面轮廓。因此,顶部沟道中的有效栅长度小于底部沟道中的有效栅长度。发明内容根据一种或更多种实施方式,一种半导体器件包括:顺序堆叠在衬底上的多个沟道,所述多个沟道在...
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