技术编号：11235702
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法，特别涉及在同一硅衬底上形成用于检测紫外线那样的短波长的光的半导体受光元件和MOS晶体管的半导体装置的制造方法。背景技术半导体受光元件有各个种类。其中，使用了硅衬底的受光元件通过在同一衬底上制作使用了MOS晶体管等的集成电路，能够在一个芯片上进行从受光到信号处理的过程，所以在较多的用途中被使用。硅中的光的穿透深度(入射到硅中的光的强度由于吸收而衰减为1/e的深度)具有如图7的波长依赖性，在紫外线(UVA：320～400nm、UVB：280～320nm)的...
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