技术编号:11236629
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路装置的制造方法及半导体集成电路装置。背景技术以往,被考虑的是,在存储器栅极的一侧壁夹着由绝缘部件构成的侧壁隔片而形成侧壁状的选择栅极的存储器单元(例如,参照专利文献1)。另外,近年来,还被考虑的是,在侧壁状的第一选择栅极与第二选择栅极之间夹着侧壁隔片配置有存储器栅极、且可以独立地控制第一选择栅极和第二选择栅极的存储器单元。这种存储器单元被构成为,在设置有存储器栅极的存储器栅构造体还设置有电荷存储层,通过向该电荷存储层注入电荷来写入数据,或者通过抽出电荷存储层的电荷来擦...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。