技术编号：11236635
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括衬底和堆叠功率器件的多芯片模块(MCM)半导体封装和相关装配方法。背景技术对半导体设备更低成本、更高性能、提高的微型化和更大封装密度的需求促使了MCM封装结构产生。MCM封装包括安装在单独的半导体封装内的两个或更多管芯和可选择的其他半导体组件。多个管芯和其他组件能够以纵向的方式、横向的方式或纵向与横向组合的方式安装。一些MCM封装是包括功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，在下文中“功率FET”)的MCM功率封装，有时在同一封装中还包括控制器管芯。用于MCM功率封装的一种...
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