技术编号：11236655
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提升量子点发光二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构相关申请本申请要求于2013年12月12日提交的美国临时专利申请第61/915268号的权益和优先权，故通过引用的方式将其全部内容并入本文。背景技术本发明针对一种封装的量子点发光二极管(QD-LED)，并且具体地，针对提升量子点发光二极管中的有益的老化效应的封装结构和制造方法。量子点发光二极管在本领域是公知的。底部发射设备的基本结构是玻璃衬底和包括量子点发射层和纳米粒子层等的QD-LED堆叠层。QD-LED堆叠层由敏感材料制成，并且因此需要保护...
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