技术编号:11249401
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及中子反射技术领域,尤指一种可快速切换极化和非极化模式的中子反射谱仪光路结构。背景技术中子反射技术是通过测量界面薄膜材料对中子的反射分析获知界面处0.5~500nm尺度范围内结构成分等信息的先进材料表征技术,一方面,由于中子具有较强的穿透能力和不带电等独特属性,使得中子反射技术日益成为薄膜材料膜层结构的重要研究手段;另一方面,由于中子具有自旋磁矩,自旋取向单一的中子,也称之为极化中子,与磁性材料的磁矩之间的相互作用可以被反射后的中子所记录,使得中子反射技术是获取这些磁性薄膜材料的磁结构信...
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