技术编号：11252625
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体是关于半导体装置的制造，并且更具体地说，是关于在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的各种方法。背景技术在诸如微处理器、储存装置及类似者等现代集成电路中，于有限芯片面积上提供并操作非常大量的电路组件，特别是晶体管。近数十年来，电路组件(如晶体管)在效能提升及实体尺寸(特征尺寸)缩减方面已有极大的进步。场效应晶体管(FET)有各种组态，例如：平面型晶体管装置、FinFET装置、纳米线装置等。FET无论是何种形式，都具有栅极电极、源极区、漏极区、以及置于源极与漏极区之间的沟道区。场效...
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