技术编号:11252628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示装置技术领域,尤其涉及一种阵列基板的制备方法。背景技术在现有的阵列基板的制备工艺中,需要对多个膜层进行刻蚀。图1示出根据现有技术的制备方法制备的阵列基板的结构示意图。如图1所示,需要同时蚀刻栅绝缘层2、第一钝化层3和第二钝化层10这三层膜层,由于这三层膜层的厚度较厚,刻蚀难度较大,需要较厚的光刻胶层作为掩模,这对于曝光显影以及刻蚀工艺都会是很大的挑战,不但对光刻胶的依赖性高,还会出现曝光不彻底导致光刻胶残留,刻蚀时间长光刻胶易碳化形成侧墙等问题,导致工艺不良。而且现有技术中采用同时...
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