技术编号:11252660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种半导体装置及其制造方法,且特别涉及一种具有增厚的栅极间隔物的半导体装置及其制造方法。背景技术半导体集成电路(IC)工业经历了快速的成长。集成电路材料及设计的技术进步产生了许多集成电路世代,其中每一世代具有比上一世代更小及更复杂的电路。然而,这些进步增加了集成电路工艺及生产的复杂性,而为了让这些进步被实现,工艺及生产需要同步的发展。在集成电路演进的过程,功能密度(亦即,每一芯片面积的互连装置的数量)普遍地增加,然而几何尺寸(亦即,生产工艺可以产生的最小的元件或线)则降低。持续降低的几...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。