技术编号：11252662
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种闪存单元器件及闪存。背景技术闪存以其低成本、低功耗、存取速度快等性能优势，已经在非易失存储器领域占据主导地位。随着科技的发展，数据存储介质应用也由一些传统的非易失存储器专向闪存型存储器，以闪存为主要存储介质的大容量固态存储设备已经成为当今数据存储的主流方案之一。现有闪存单元为一体的多晶硅浮栅结构，通过闪存单元中的控制栅(ControlGate,CG)加高电压，使载流子在电场的加速下具有一定能量，利用量子遂穿效应越过氧化层，并保存在浮栅中，浮栅保证数据的正常存取和...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。