技术编号:11252665
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件、具有半导体器件的显示装置和上述装置的制造方法。背景技术作为显示半导体特性的代表的例能够列举硅(硅)、锗等的第14族元素。特别是硅因容易入手、容易加工、优良的半导体特性、容易控制特性等,在几乎所有的半导体器件中使用,被定位于支撑电子工业的基础的材料。近年来,氧化物、特别是铟、镓等的13族元素的氧化物显现出半导体特性,以此为契机进行努力的研究开发。作为显示半导体特性的代表的氧化物(以下,氧化物半导体)已知铟―镓氧化物(IGO)、铟―镓―锌氧化物(IGZO)等。最近的努力的研究开...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。