技术编号:11252726
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。背景技术电力电子技术是现代科学、工业和国防的重要支撑技术,其中功率半导体器件既是电力电子技术的基础,也是电力电子技术发展的强大动力,功率半导体器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性作用。其中,以功率MOS场效应管(MOSFET)和绝缘栅晶体管(IGBT)为代表的新型功率半导体器件占据了主导地位,在4C电子产品、工业控制、国防装备等领域发挥着重要作用。然而,以硅材料为基础的功率MOSFET器件越来越显示出其不足和局限性。宽禁带半导体材...
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