技术编号:11252751
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于显示器件技术领域,具体涉及一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。背景技术近年来,非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在以有源矩阵驱动液晶显示(AMLCD)、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)和电子纸(E-paper)为代表的信息显示中起重要作用。非晶氧化物TFT具有较高的迁移率,低制备温度,高均匀性等优点可满足当前显示技术朝大尺寸、高分辨率和柔性等方向发展的要求。对于非晶氧化物TFT通常需要经过退火处理来改善器件的电学性能。这是因为退火处理不仅可以降低有源层内部的缺陷及有源层/栅绝缘层界...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。