技术编号：11252753
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板。背景技术传统的薄膜晶体管(TFT)采用非晶硅材料作为有源层，但由于其载流子迁移率太小，很难满足大尺寸显示装置的驱动需要。因此，业内目前大都准备采用具有高载流子迁移率的铟镓锌氧化物(IGZO)半导体做有源层来制备TFT，但是由于IGZO独特的四元结构，想要精确控制有源层中的氢含量变得十分困难，若有源层中的氢含量不能降到一定的浓度，其会显著影响TFT的电学特性，进而影响产品的显示效果。发明内容本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。