技术编号:11621929
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思的实施方式涉及半导体装置及其制造方法,更具体地,涉及包括磁隧道结图案的磁存储装置及其制造方法。背景技术对于高速且低功耗的电子产品需要可快速读/写且低电压的存储装置。已经发展了磁存储装置来满足这些需求。由于其高的运行特性以及以非易失性的方式存储数据的能力,磁存储装置可以满足下一代存储装置的需求。磁存储装置采用磁隧道结(MTJ)图案来存储信息。磁隧道结图案可包括两个磁层和设置在这两个磁层之间的绝缘层。磁隧道结图案的电阻取决于这两个磁层的磁化方向。例如,当这两个磁层的磁化方向彼此反平行时,磁...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。