磁存储装置的制造方法技术资料下载

技术编号:11621929

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本发明构思的实施方式涉及半导体装置及其制造方法,更具体地,涉及包括磁隧道结图案的磁存储装置及其制造方法。背景技术对于高速且低功耗的电子产品需要可快速读/写且低电压的存储装置。已经发展了磁存储装置来满足这些需求。由于其高的运行特性以及以非易失性的方式存储数据的能力,磁存储装置可以满足下一代存储装置的需求。磁存储装置采用磁隧道结(MTJ)图案来存储信息。磁隧道结图案可包括两个磁层和设置在这两个磁层之间的绝缘层。磁隧道结图案的电阻取决于这两个磁层的磁化方向。例如,当这两个磁层的磁化方向彼此反平行时,磁...
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