技术编号:11811537
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多晶硅靶材制备工艺,具体地说是一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺。背景技术目前,多晶硅靶材逐步应用于靶材市场,单晶硅靶材由于其成本较高不利用靶材行业的持续健康发展。在多晶硅靶材领域,由于工艺的限制,铸造材料要求其纯度较高,要在5.5N以上,同时其产品出成率仅能达到65%左右,且存在着脆性较大、裂纹等多种风险,因此,成本较高。因此,如何降低生产成本,提高产品出成率成为解决当前的主要问题。发明内容根据上述提出的技术问题,而提供一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺。本发明采...
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