技术编号：12071453
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种根据权利要求1所述的方法、一种根据权利要求9所述的装置、一种根据权利要求10所述的方法、一种根据权利要求11所述的用途、一种根据权利要求12中所述的衬底堆叠以及一种根据权利要求13所述的衬底固持器。背景技术在半导体技术中，通常对衬底进行背面薄化，以便减小形成的构件的尺寸。应用背面薄化的最常见原因之一是通过衬底来制造导电连接。这些线路尤其由于其在硅衬底中的频繁使用而被称为穿透硅通孔(through-silicon-vias，TSV)。由于工业上制造的衬底、尤其晶片具有大于500µm的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。