技术编号：12167630
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体涉及极紫外光刻，且更特别涉及用于极紫外反射元件的多层堆叠、生产系统和光刻系统，所述极紫外反射元件用于极紫外光刻。背景技术现代消费与工业电子系统变得越来越复杂。电子装置需以更小、更灵活的方式封装更高密度的电子部件。随着部件密度增加，必需改变技术，以满足对具有更小特征结构尺寸的更高密度装置的要求。亦称作软x射线投影光刻的极紫外光刻是用于制造0.13微米和更小的最小特征尺寸半导体装置的光刻工艺。通常在5至50纳米(nm)波长范围内的极紫外光会被大多数元件强烈吸收。因此，极紫外系统利用反射而非...
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