技术编号：12179730
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种冷却系统，尤其涉及一种用于太阳能硅片的设备炉管温度控制的冷却系统。属于太阳能光伏技术领域。背景技术PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。炉管温度控制是该工艺重要影响因素之一，温度控制不好会导致产品外观颜色、膜厚以及折射率等不...
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