技术编号:12252139
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种碲锌镉多晶的制备方法。背景技术碲锌镉晶体(英文名称为cadmiumzinctelluride,简写为CZT)是由第ⅡB~ⅣA族元素组成的宽禁带化合物半导体,具有闪锌矿结构,随着Zn组分含量的变化,其生长温度从1092~1295℃之间变化,是一种性能优异的红外晶体材料,被广泛用于红外探测器的外延衬底和室温核辐射探测器等。碲锌镉晶体还以其优异的光电性能而在核工业、军事、医学、环境、光伏发电、天体物理等方面有着重要的应用前景,成为一种极具工程意义和战略意义的功能材...
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