技术编号:13426448
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。使用双频电容耦合等离子体(CCP)以EUV抗蚀剂进行的沟槽和孔图案化相关申请的交叉引用根据37C.F.R.§1.78(a)(4),本申请要求于2015年4月2日提交的在先提交的共同未决临时申请第62/142,020号的权益和优先权,其通过引用明确地合并入本文。技术领域本发明涉及半导体处理技术,更特别地,涉及用于控制用于处理基片的处理系统的性能的设备和方法。背景技术以10nm和亚10nm技术节点的图案化是对于半导体行业的关键挑战之一。正在研究若干种图案化技术,以实现逻辑技术所要求的有挑战的间距需求...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。