技术编号:13442508
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及人工晶体生长技术领域,特别涉及一种托盘。背景技术下降法、热交换法、温度梯度法等人工晶体生长技术逐步向多坩埚同时生长的方向发展。为了提高多坩埚生长晶体的产品质量,需要保证各个坩埚所处的环境条件基本一致。这里不仅要保证各个坩埚加热条件与保温的条件一致,同时还需要保证各个坩埚安装基座上温度条件的一致性。发明内容本实用新型的目的是提供一种托盘,能够保证用于安装各个坩埚的安装孔处的温度基本保持一致,提高了人工晶体的生长质量。为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种托盘,用于安装坩埚,...
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