技术编号：13442510
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及人工晶体生长技术领域，特别涉及一种用于人工晶体的生长装置。背景技术随着人工晶体材料应用市场的飞速发展,为了提高人工晶体的生产率和降低人工晶体的生产成本,人工晶体的生长逐渐向多坩埚方向发展。现有技术中，工艺热场都是采用周边加热的方式来进行原料的熔化、晶体生长以及退火等工艺。随着坩埚数量的增多，生长人工晶体材料的热场直径就越来越大，这样就使得热场内的温度均匀性很难得到保证，从而导致生长后的人工晶体材料的内在质量下降，影响生长后的人工晶体材料的性能。因此，需要提高大直径热场内的温度均匀性...
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