技术编号:13442512
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及人工晶体生长领域,具体涉及到一种表面镀保护层的铱坩埚。背景技术使用中频感应加热方式的提拉法进行晶体生长,坩埚是盛放晶体原料的容器,也是核心的中频感应加热组件。因此,对坩埚材料的选择是晶体生长前期需考虑的最重要的问题,需要综合考虑晶体和坩埚的物理化学性能,如晶体材料的熔点,所使用的气氛,坩埚的抗热振性和机械加工性等。使用中频感应提拉法生长高熔点(熔点高于1900℃)的晶体一般采用铱坩埚,如生长蓝宝石晶体、硅酸镥(LSO)、硅酸钇镥(LYSO)、YAG等晶体均主要使用铱金坩埚,铱金熔点...
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