技术编号：13448117
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失性半导体存储装置，尤其涉及包含利用可变电阻元件的存储器阵列(memoryarray)的半导体存储装置的写入控制。背景技术作为取代快闪存储器的非易失性存储器，利用可变电阻元件的电阻变化型存储器正受到瞩目。电阻变化型存储器存在下述优点：由于能够用电压来重写数据(电流为微量)，因而功耗小。图1是表示以往的电阻变化型存储器的存储器阵列的典型结构的电路图。一个存储胞元单元(memorycellunit)包含可变电阻元件和与其串联连接的存取用晶体管。在对胞元单元M11进行写入时，通过字线...
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