技术编号：13451633
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种集成存储器电路，并且具体涉及一种运行以生成用于这种集成存储器电路的感测放大器使能信号生成电路。背景技术本领域已知在多个电源电压运行集成存储器电路(比如SRAM)。例如，在一种运行模式下可以为集成存储器电路供应相对较高的电源电压(例如，1.26V)并且在另一运行模式下进一步为其供应相对较低的电压(例如，0.6V)。在典型的集成存储器电路中，响应于感测放大器使能(SAEN)信号，耦合至存储器列的(这些)位线的感测放大器被使能以运行。该SAEN信号由感测放大器使能发生器电路生成，该感...
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