技术编号：13685246
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本非临时申请在美国法典第35卷第119节(a)款下要求2016年8月5日于日本提交的第2016-154628号专利申请的优先权，所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法和光掩模坯。
背景技术
为了满足对于集成电路中较高集成度的目前的要求，需要形成更精细的特征尺寸的图案。最经常将酸催化的化学增幅抗蚀剂组合物用于形成具有0.2μm以下的特征尺寸的抗蚀剂图案。将高能辐射如UV、深UV或电子束...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。