技术编号：13985211
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。背景技术TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板被广泛应用于不同类型的显示装置中。现有技术的阵列基板中，将源漏极层形成于半导体层之上。源漏极层包括金属层和导体缓冲层，金属层与半导体层之间通过导体缓冲层隔开。这样设置的目的在于防止源极漏极层中的金属层扩散至半导体层中，减少金属层与半导体层之间的接触阻抗，避免造成金属穿刺等不良。在阵列基板上形成沟道过程中，就需要依次对金属层和导体缓冲层进行蚀刻，以露出所述金属半导...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。