技术编号：13985287
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及导电材料(CM)在衬底通孔(TH)内的电沉积，特别涉及TH的无空隙填充。【背景技术】在制作功率模块、大功率发光二极管(LED)、用于电机的功率转换器、充电器等高功率应用中，使用陶瓷衬底已经变得越发流行。在设计高密度互连用于陶瓷衬底时，要求在衬底上形成更细的图案，这有利于充填孔和铜柱而不是塞孔。在传统衬底上制备间隔很小的TH且每个TH都是小直径，并且TH被CM填充。填充TH而不在其中产生任何空隙是非常令人期待的。电化学材料填充过程通常用于TH填充。必须考虑某些过程参数，如TH的直径、TH...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。