技术编号：14477048
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路技术领域，尤其涉及自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构。背景技术单粒子效应是空间粒子，尤其是高能量粒子撞击半导体器件，产生瞬间的光电流所致。单粒子效应会导致器件电压扰动，当单粒子攻击存储电路时，会造成存储电路的翻转，称之为单粒子翻转；当单粒子撞击组合逻辑时，会产生可沿组合逻辑传播的瞬态脉冲，即单粒子瞬态，单粒子瞬态被存储单元如触发器等捕获后也会造成单粒子软错误。常用的解决单粒子效应问题的结构为三模冗余结构。如图2所示，将目标组合逻辑电路和触发器电路复制三份得到第一组合逻...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。