技术编号:14478056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及功率电子学领域,更具体地说,涉及一种开关电源电路及其开关电源。背景技术为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。作为传统电力电子变换的开关器件,Si IGBT已难以满足需求,而新型半导体器件碳化硅MOSFET和氮化镓HEMT功率开关管具有更好的性能,被普遍认为是新一代的功率器件。碳化硅MOSFET和氮化镓HEMT功率开关管工作频率高且耐高温能力强,同时又具有通态电阻低和开关损...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。