技术编号：14601530
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种使用牺牲层上平坦表面以集成互补金属氧化物半导体装置以及微机电系统装置的方法。背景技术互补金属氧化物半导体(CMOS)为用于建构集成电路的技术。CMOS技术用于数字逻辑电路中。此外，CMOS技术可与微机电系统(MEMS)装置一起使用。MEMS装置为集成机械组件及电组件以感测物理量和/或对周围环境施加作用的显微装置。近年来，MEMS装置变得越来越常见。例如，MEMS加速度计常见于气囊部署系统、平板计算机及智能电话中。发明内容根据本发明的一实施例，一种用于制造集成电路(IC)的方法...
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