浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法与流程技术资料下载

技术编号:14655399

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及微纳电子加工、MEMS及压力测量领域,尤其涉及一种浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法。背景技术在体硅中扩散或注入,形成p-n结隔离的压阻条,已被广泛使用在多种传感器中。基于压阻效应的MEMS压力传感器,是MEMS技术在传感器领域应用最成功的器件之一。硅压阻式MEMS压力传感器已在工业自动控制、汽车、消费电子、医疗保健、生物化工等不同的领域得到了广泛应用。随着传感器进一步向更小体积、小功耗、高集成和智能化发展,需要将压阻条做到更小和更灵敏,纳米尺度硅的压阻性能研究已经吸引...

提示:
1、专利技术是一个研发人员智慧的结晶,在研发的过程中付出了大量的心血,仅供技术学习研究。
2、如您想将该技术商业化,详细技术资料中有研发人员的地址,请您与技术研发人员联系商讨合作事宜。

↓↓详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。