技术编号:14676873
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体存储器技术领域,具体地涉及一种刷新控制电路及包括刷新控制电路的半导体存储器。背景技术动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)具有很低的单元存储成本和很高的集成密度,被广泛应用于计算机系统中,DRAM属于易失性存储器件,为了保持数据不丢失,需要进行刷新操作,电子器件工程联合委员会(Joint Electron Device Engineering Council,JEDEC)标准规定DRAM单元的刷新周期为64ms(高温下为32m...
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