技术编号:14680811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器件及其擦除方法,尤其涉及一种闪存器件及其擦除方法。背景技术半导体存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类,易失性存储器掉电后会失去记忆的数据,非易失性存储器即使在切断电源的情况下也可以保护数据。闪存器件是典型的非易失性存储器件。基于存储单元阵列的结构,闪存器件可以分为NOR闪存器件和NAND闪存器件。闪存单元的栅极具有包括隧道绝缘层、浮栅电极、电介质层和控制栅的结构。在浮栅结构的闪存中,通过对浮栅电极注入或者释放电子来改变存储单元(例如MOS晶体管)的阈值电压,从而...
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