技术编号:14681721
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件及制造领域,特别是涉及一种基于多晶硅制程的导体结构、电容器阵列结构及制备方法。背景技术动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,简称:DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管;晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连;字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭,进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息,或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。目前,在20nm一下...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。