技术编号:14685542
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及影像传感器技术领域,具体而言,涉及一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法。背景技术CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor的缩写,中文意思为互补性氧化金属半导体)传感器,属于影像传感器中的一种,一般为数码相机中的核心部件。目前,传统的CMOS传感器存在的问题是:封装结构的厚度较厚。发明内容本发明的目的在于提供一种CMOS影像传感封装结构的制作方法,其能制作出厚度较薄的CMOS影像传感封装结构。本发明的另一目的在于提供一种CMOS影像传感...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。