技术编号：14686103
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术在半导体器件制造过程中，常采用浅沟槽隔离结构(ShallowTrenchIsolation，STI)或者硅的局部氧化结构(LocalOxidationofSilicon，LOCOS)作为P阱(Pwell)与N阱(Nwell)之间的阱区隔离结构，以实现器件的隔离。两相邻阱区形成于衬底中，相应阱区内还形成有重掺杂区，所述相邻阱区之间形成有隔离结构，且所述相邻阱区的深度大于所述隔离结构的深度。通过所述阱区隔离结构，可以抑制相邻器件的穿通...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。