技术编号：14825109
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种平面纳米线三维坡面阵列生长方法，特别是通过对异质交替叠层进行刻蚀形成坡面纳米引导台阶，从而实现高密度坡面平行纳米线阵列的方法。涉及一种获得高密度三维纳米线沟道阵列的可靠方法，可广泛应用于半导体微纳电子器件，尤其针对大面积电子(平板显示TFT应用)、3D逻辑、柔性/可穿戴电子和场效应生物化学传感器件。背景技术晶硅或相关半导体纳米线(Nanowire)是开发新一代高性能微纳电子逻辑、传感和显示应用的关键构建单元。基于自上而下的电子束直写(EBL)技术制备直径在10～100nm范围的纳米...
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