技术编号：14912899
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的各种实施方式总体上涉及电子器件，并且更具体地，涉及半导体器件及其操作方法以及存储系统。背景技术半导体存储器件是通过使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的半导体而具体实现的存储器件。半导体存储器件被分为易失性存储器件和非易失性存储器件。当断电时，易失性存储器件丢失存储的数据。易失性存储器件的示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储器件不管通电/断电情况如何都保持存储的数据。非易失性存储器的示例包括只读存...
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