技术编号:14916789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体晶体合成与生长的装置,具体涉及一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置,尤其适用于磷化铟、磷化镓等需要与挥发性元素进行合成的半导体晶体材料的VGF晶体生长。背景技术化合物半导体广泛应用于电子行业,是重要的化合物半导体材料。例如,InP、GaP、GaAs等。由于元素组成中含有挥发性元素,合成方法有水平扩散合成和注入合成等。其晶体生长方法有LEC(Liquid Encapsulated Czochralski:液封直拉) 法、VGF(Vertical gradient f...
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